ZugDuk
24.07.2011, 23:07
Ну вот например транзистор NEM091803S-28
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET
FOR 180 W UHF-BAND PUSH-PULL POWER AMPLIFIER
В даташите какие то странные параметры, я к таким не привык (с радиочастотными деталями раньше дел не имел).
А мне нужно знать
RdsOn - сопротивление в открытом состоянии
Входную емкость, заряд затвора,
короче то, что обычно пишется для силовых переключательных мосфетов.
Так то по подвижности такой транзистор конкретно уделает обычные мосфеты. Мне для звукового усилка в классе D. ШИМ сигнал воспроизводить. Радиочастота нужна, потому что те транзисторы, что для импульсных блоков питания, не успевают и рисуют плохие фронты, что прямо выражается в звуке - он отстойный. Технология ШИМ требует очень высокой частоты от тракта. В идеале около 1.5 ГГц.
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET
FOR 180 W UHF-BAND PUSH-PULL POWER AMPLIFIER
В даташите какие то странные параметры, я к таким не привык (с радиочастотными деталями раньше дел не имел).
А мне нужно знать
RdsOn - сопротивление в открытом состоянии
Входную емкость, заряд затвора,
короче то, что обычно пишется для силовых переключательных мосфетов.
Так то по подвижности такой транзистор конкретно уделает обычные мосфеты. Мне для звукового усилка в классе D. ШИМ сигнал воспроизводить. Радиочастота нужна, потому что те транзисторы, что для импульсных блоков питания, не успевают и рисуют плохие фронты, что прямо выражается в звуке - он отстойный. Технология ШИМ требует очень высокой частоты от тракта. В идеале около 1.5 ГГц.