Просмотр полной версии : Каскад ОИ
На первый взгляд, ничего сложного, но хотелось бы прояснить для себя несколько вопросов по данной схеме. А именно: в случае параллельного включения двух транзисторов, кроме уменьшения шумов, каскада какие ещё возможны изменения характеристик каскада? Правильно ли параллелить данные транзисторы "этажеркой", или лучше с индивидуальными цепями в "И". При параллельном включении двух транзисторов нужно ли уменьшать номиналы R1 и Rи? Как расчитать выходное сопротивление данного каскада, и какое влияние окажет на него контур L1C1? Для данной схемы согласования с ЭМФ нужен ли проходной С3?
Удваивание транзистора тут эквивалентно установке транзистора большей мощности. Шум уменьшится потому что транзисторы будут при меньшем токе работать. Но уменьшив упомянутые резисторы можно увеличить ток. Увеличится естественно и крутизна. Также возрастут все емкости транзистора, но при такой частоте это не страшно. Я думаю что мощный транзистор это и есть много маленьких на одном кристалле. Отдельные истоковые резисторы особого смысла ставить нету. У буржуйских транзисторов с одной партии и так хорошая повторяемость должна быть. Даже из 5-6 советских всегда можно было пару выбрать.
Шум уменьшится потому что транзисторы будут при меньшем токе работать.
С чего это вдруг? Несколько транзисторов и ставятся именно для получения большего тока каскада. Так что причины понижения К.Ш., здесь совершенно другие.
А именно: в случае параллельного включения двух транзисторов, кроме уменьшения шумов, каскада какие ещё возможны изменения характеристик каскада?
Собственно, параллельное включение нескольких транзисторов, применяют в основном не ради снижения шума, хотя и это немаловажно, а для повышения общей динамики каскада. Правда, сам ЭМФ считается элементом не слишком то и высокодинамичным. Так что в данном конкретном случае, запараллеливание транзисторов может особо ничего не дать. В плане динамики. Важна полная схема, в которой применён каскад. Даже, какой ЭМФ попадётся, может сыграть не последнюю роль.
Сбственно, "этажирование" транзистора было задумано именно с целью уменьшения шумности каскада, причины, по которым это происходит мне немного известны. Может в УПЧ 500кГц, да ещё с ЭМФ это мало что даст, но трудозатраты и стоимость лишнего компонента тоже малы, почему бы не сделать. В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом. Это, что касается удвоения. Собственно, саму схему ("хотелку") я прорисовал, но всё сырое, прорисую блок-схему каскада, выложу.
Lee, добротность приблизительно ровна 10.
Как и обещал, блок схема задуманного каскада УПЧ.
Сбственно, "этажирование" транзистора было задумано именно с целью уменьшения шумности каскада, причины, по которым это происходит мне немного известны. Может в УПЧ 500кГц, да ещё с ЭМФ это мало что даст, но трудозатраты и стоимость лишнего компонента тоже малы, почему бы не сделать. В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом. Это, что касается удвоения. Собственно, саму схему ("хотелку") я прорисовал, но всё сырое, прорисую блок-схему каскада, выложу.
А какие транзисторы, конкретно, Вы хотите "параллелить"?
Как и обещал, блок схема задуманного каскада УПЧ.
Это блок схема приемника без ГПД, нет блока АРУ. И зачем вам столько усиления, при ПЧ 500 кгц один каскад на BF998 лишний.
А какие транзисторы, конкретно, Вы хотите "параллелить"?
- BF998.
Это блок схема приемника без ГПД, нет блока АРУ. И зачем вам столько усиления, при ПЧ 500 кгц один каскад на BF998 лишний.
Совершенно верно, Это часть задумки, тракт первой ПЧ 45МГц спаян давно и ждёт своего часа, это вторая ПЧ. В качестве ГПД и генераторов буду брать готовый синтез, т.к. самостоятельное изготовление этого узла меня пока не прельщает... Пробный вариант с одним ЭМФ-ом спаян, работает, но хочется "паровозик"... Думаю две системы АРУ: первая, по первой ПЧ - управление аттенюатором на входе, вторая - по вторым затворам BF998-х, съем сигнала для АРУ - после 2-го ЭМФ-а. Основное усиление думаю загнать в НЧ, есть ещё пара-тройка 538УН3 в золоте, но из диалогов "старших" товарищей понял, что и полоса пропускания такого тракта НЧ должна быть тоже с пределах полосы ЭМФ-ов... А городить огород, как в Л-91 не хочется... Но до этого мне ещё далеко. Вот моё "техзадание" на будущее. Всё упирается в одну маленькую проблемку - катастрофическую нехватку времени. Но постараюсь сильно не затягивать.
Да, и чуть не забыл: спасибо модераторам за наведённый порядок в этой теме! :smile: !
В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом.
Посмотрите внимательно
Согласен, в даташитах Сименс и Инфенион есть график зависимости Кш от напряжения на втором затворе ( в Сименме на двух частотах). Но речь шла (может я не корректно изложил свою мысль) о зависимости Кш от тока (транзисторы в параллель, номиналы резисторов, читай - ток). По прежнему, по воросам первого поста: режимы по постоянному току, выходное сопротивление, влияние контура и проходной конденсатор пока ничего.
Powered by vBulletin® Version 4.1.12 Copyright © 2024 vBulletin Solutions, Inc. All rights reserved. Перевод: zCarot