PDA

Просмотр полной версии : Каскад ОИ



Lee
21.09.2012, 22:26
На первый взгляд, ничего сложного, но хотелось бы прояснить для себя несколько вопросов по данной схеме. А именно: в случае параллельного включения двух транзисторов, кроме уменьшения шумов, каскада какие ещё возможны изменения характеристик каскада? Правильно ли параллелить данные транзисторы "этажеркой", или лучше с индивидуальными цепями в "И". При параллельном включении двух транзисторов нужно ли уменьшать номиналы R1 и Rи? Как расчитать выходное сопротивление данного каскада, и какое влияние окажет на него контур L1C1? Для данной схемы согласования с ЭМФ нужен ли проходной С3?

ПАПА
22.09.2012, 10:26
Удваивание транзистора тут эквивалентно установке транзистора большей мощности. Шум уменьшится потому что транзисторы будут при меньшем токе работать. Но уменьшив упомянутые резисторы можно увеличить ток. Увеличится естественно и крутизна. Также возрастут все емкости транзистора, но при такой частоте это не страшно. Я думаю что мощный транзистор это и есть много маленьких на одном кристалле. Отдельные истоковые резисторы особого смысла ставить нету. У буржуйских транзисторов с одной партии и так хорошая повторяемость должна быть. Даже из 5-6 советских всегда можно было пару выбрать.

RK4CI
22.09.2012, 11:18
Шум уменьшится потому что транзисторы будут при меньшем токе работать.
С чего это вдруг? Несколько транзисторов и ставятся именно для получения большего тока каскада. Так что причины понижения К.Ш., здесь совершенно другие.

А именно: в случае параллельного включения двух транзисторов, кроме уменьшения шумов, каскада какие ещё возможны изменения характеристик каскада?
Собственно, параллельное включение нескольких транзисторов, применяют в основном не ради снижения шума, хотя и это немаловажно, а для повышения общей динамики каскада. Правда, сам ЭМФ считается элементом не слишком то и высокодинамичным. Так что в данном конкретном случае, запараллеливание транзисторов может особо ничего не дать. В плане динамики. Важна полная схема, в которой применён каскад. Даже, какой ЭМФ попадётся, может сыграть не последнюю роль.

Lee
22.09.2012, 15:07
Сбственно, "этажирование" транзистора было задумано именно с целью уменьшения шумности каскада, причины, по которым это происходит мне немного известны. Может в УПЧ 500кГц, да ещё с ЭМФ это мало что даст, но трудозатраты и стоимость лишнего компонента тоже малы, почему бы не сделать. В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом. Это, что касается удвоения. Собственно, саму схему ("хотелку") я прорисовал, но всё сырое, прорисую блок-схему каскада, выложу.

Дно
22.09.2012, 16:11
Lee, добротность приблизительно ровна 10.

Lee
22.09.2012, 22:16
Как и обещал, блок схема задуманного каскада УПЧ.

Vadim
22.09.2012, 22:48
Сбственно, "этажирование" транзистора было задумано именно с целью уменьшения шумности каскада, причины, по которым это происходит мне немного известны. Может в УПЧ 500кГц, да ещё с ЭМФ это мало что даст, но трудозатраты и стоимость лишнего компонента тоже малы, почему бы не сделать. В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом. Это, что касается удвоения. Собственно, саму схему ("хотелку") я прорисовал, но всё сырое, прорисую блок-схему каскада, выложу.
А какие транзисторы, конкретно, Вы хотите "параллелить"?

UN8PA
23.09.2012, 02:10
Как и обещал, блок схема задуманного каскада УПЧ.

Это блок схема приемника без ГПД, нет блока АРУ. И зачем вам столько усиления, при ПЧ 500 кгц один каскад на BF998 лишний.

Lee
23.09.2012, 14:38
А какие транзисторы, конкретно, Вы хотите "параллелить"?
- BF998.

Это блок схема приемника без ГПД, нет блока АРУ. И зачем вам столько усиления, при ПЧ 500 кгц один каскад на BF998 лишний.
Совершенно верно, Это часть задумки, тракт первой ПЧ 45МГц спаян давно и ждёт своего часа, это вторая ПЧ. В качестве ГПД и генераторов буду брать готовый синтез, т.к. самостоятельное изготовление этого узла меня пока не прельщает... Пробный вариант с одним ЭМФ-ом спаян, работает, но хочется "паровозик"... Думаю две системы АРУ: первая, по первой ПЧ - управление аттенюатором на входе, вторая - по вторым затворам BF998-х, съем сигнала для АРУ - после 2-го ЭМФ-а. Основное усиление думаю загнать в НЧ, есть ещё пара-тройка 538УН3 в золоте, но из диалогов "старших" товарищей понял, что и полоса пропускания такого тракта НЧ должна быть тоже с пределах полосы ЭМФ-ов... А городить огород, как в Л-91 не хочется... Но до этого мне ещё далеко. Вот моё "техзадание" на будущее. Всё упирается в одну маленькую проблемку - катастрофическую нехватку времени. Но постараюсь сильно не затягивать.
Да, и чуть не забыл: спасибо модераторам за наведённый порядок в этой теме! :smile: !

UN8PA
23.09.2012, 15:00
В даташите на этот транзистор нет графика зависимости Кш от режимов прибора, вот собственно потому и спросил, дабы улучшая одно не напортачить в другом.

Посмотрите внимательно

Lee
23.09.2012, 21:38
Согласен, в даташитах Сименс и Инфенион есть график зависимости Кш от напряжения на втором затворе ( в Сименме на двух частотах). Но речь шла (может я не корректно изложил свою мысль) о зависимости Кш от тока (транзисторы в параллель, номиналы резисторов, читай - ток). По прежнему, по воросам первого поста: режимы по постоянному току, выходное сопротивление, влияние контура и проходной конденсатор пока ничего.