Ключевой MOSFET нетрудно убить задолго до разогрева корпуса. Это его принципиальное отличие от биполярных транзисторов, обусловленное внутренней структурой. И выравнивание тока, и отбор по напряжению отсечки не гарантируют надежную работу при параллельном включении. Со времен публикации в ХиХ много времени утекло, технологии на месте не стоят. И в данном случае улучшение технологий идет во вред, к сожалению. Почему - объяснялось неоднократно. Если использовать транзисторы из прошлого века (физически изготовленные по старым технологиям) - вероятность надежной работы выше (если в даташите на них описана SOA в области DC).
Короче - кому интересно, тот найдет все необходимое по теме.