В сборке, которую буду применять QM300HA-2H параметр Collecktor emiter saturation volge при токе колектора 300А - 2,5В. Тот же параметр при обычном мощном транзисторе 2N5683 при ток 25А - 1В, а при 50А - 5В. Поетому думаю, что для мощной сборке 2,5В нормально. Конечно надо иметь в виду конкретная схема и параметры.Сообщение от AlexanderZ
lz2pdm, он имел ввиду падение напряжения на выходе БП при нагрузке рабочим током, а Вы видимо остаточное напряжение на транзисторе. У меня на древних 4х2Т827 на выходе БП 24В напряжение падает на 0,2В при нагрузке 25А. Открывайте новую тему-она заслуживает внимания.
Я думаю что много будет, с полевыми MOSFET этот показатель куда лучше, 0,3...0,7 Вольта, да и практика это подтверждает.
В принцпе ето так, но конкретно я не вижу реальну разницу при 25А - 1В при мощном биполярном транзисторе и 25А - 0,3В при полевыми MOSFET. При мощные сборки дела обстоят иначе, но мне неизвестна мощная сборка на MOSFET . Токи для сборок начиают от 75А,насколько мне изветно, ниже обычная конструкция, но на два кристала большей площади паралеь - ето за токи около 50-70 А.
ОК, я неправильно понял.
Что-то я не понял! Чем больше ток, через регулирующие транзисторы тем меньше падение напряжения на этих транзисторах! Они же регулирующий элемент!!! Тран-сформатор(преобразов атель) ре-зистор-а.
При ХХ падение напряжения на транзисторе самое большое. В отпертом состоянии его сопротивление сотые доли ома. Какое там падение напряжения?
Оценивают обычно то, на сколько хорошо БП поддерживает установленное напряжение.
Последний раз редактировалось AlexanderZ; 25.02.2018 в 12:32.
AlexanderZ, вспомнили! РЕЧЬ ИДЕТ О ОСТАТОЧНОМ НАПРЯЖЕНИИ ТРАНЗИСТОРА ИЗ ДАТАШИТА. ОК?
Да нет, не ОК!
Транзистор, как регулирующий элемент в стабилизированном БП имеет два граничных (крайних) состояния. Одно из них это транзистор заперт(сопротивление = бесконечности) и тогда на нём "падение напряжения" будет равно ЭДС источника (идеальный транзистор). Второе состояние, транзистор отперт и тогда его сопротивление должно быть равно нулю (опять таки для идеального транзистора). Однако НЕ идеальный транзистор несколько отличается от реального. Полностью запертый транзисор нас интересует мало, а вот полностью отпертый транзистор, это про наш случай!
Противоположное состояние называется НАСЫЩЕНИЕ. Это когда транзистор открыт полностью, так, что дальше открываться уже некуда. При такой степени открытия сопротивление участка коллектор эмиттер настолько мало, что включать транзистор без нагрузки в коллекторной цепи просто нельзя, сгорит моментально. При этом остаточное напряжение на коллекторе составляет всего 0,3…0,5В.(С)
От себя добавлю, что полупроводник (диод) нуждается в некотором потенциале на pn-переходе для открытия. Это обычно около полу-вольта (0,5 V) у германиевых и около вольта у кремниевых. Для уменьшения этого потенциала диоды (в смесителях) заменяют на транзисторы полностью отпертые! При это, чем мощнее транзистор, тем меньше это "остаточное напряжение"!
Последний раз редактировалось AlexanderZ; 27.02.2018 в 06:58.
Схему можно,полностью отпёртого транзистора в качестве диода, например, п210?
AlexanderZ, ну не ОК так не ОК. И к чему этот Ваш опус?
Последний раз редактировалось UT1LW; 27.02.2018 в 10:44.
...странно, эти два крайних состояния никак в данном случае (для стабилизации напр. на нагрузке)
использовать нельзя по причине не управляемости транзистора что в запертом сост., что в режиме
насыщения. Транзистор должен находиться в активном линейном режиме и его внутр. сопротивление,
а следовательно напр. коллектор-эмиттер, будет зависеть от потребляемого нагрузкой тока, а точнее
от разности входного и выходного напряжений.
... впрочем, Вячеслав прав про долгоигр. многостор. трёп...
Последний раз редактировалось Костя5656; 27.02.2018 в 11:00.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
