Усилители 30-100 ватт на полевиках

[R0SBD]

А почему не биноклем, т.е. первичка в виде медных трубок. Здесь в своем трансе можете скомпенсировать лишнюю индуктивность на 20-30мгц дополнительной емкостью, не важно в какой обмотке, обычно в первичную ставят. Попробуйте.. Потом получившуюся емкость делите на два и ставите два кондера со стоков транзисторов на корпус.
PS Кстати, куда вы 3,1 ома включали, надо было на один виток первички, т.е. крайний вывод- срединный вывод первички, а то могли на всю первичку, а там два витка у вас получилось..

[Phoenix]

R0SBD
1. Чтобы не ставить симметрирующий трансформатор. И ООС взять с выходного трансформатора один витком связи.
2. Про компенсацию знаю, но тут сверху все плохо. Так сильно ситуацию не поправишь ёмкостями.
3. Рисунок 1.

[RK4CI]

Первый блин комом.

Так всё относительно. Активная составляющая у вас изменяется не слишком сильно. А реактивная плавно нарастает с повышением частоты. Стало может быть легко скомпенсирована.
У себя в выходном каскаде применил трансформатор 1+1+3 В. Первичка, один виток оплётки кабеля, далее 0,5+0,5 В в три провода во второпластовой изоляции. Вторичка 3 витка. Индуктивность рассеивания должна быть пониже чем у вас.
Судя по всему, у вас есть возможность измерять малые значения реактивностей. Так замерьте индуктивность каждой из первичных обмоток, при закороченной вторичке, и зависимость этой индуктивности от частоты. Сразу будете иметь представление о номинале необходимой компенсирующей ёмкости, ну и активную составляющую потерь увидите.
Ну и по конструктиву УМ. Хорошо бы расположить непосредственно на выходе вторички, ФНЧ с частотой среза самого верхнего диапазона. В этом случае первая ёмкость ФНЧ входит и в состав самого ФНЧ, и часть её отбирается на компенсацию индуктивности трансформатора. Это может оказаться критичным для ВЧ диапазонов, когда блок ФНЧ расположен где то в стороне и подключается кабелем.

[Леонид3]

..своем трансе можете скомпенсировать лишнюю индуктивность..

100500 раз надо напомнить, что ёмкостью можно скомпенсировать не "лишнюю индуктивность", но неправильно подобранное ВОЛНОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ линий, из которых выполнен Широко Полосный Трансформатор на Линиях (ШПТЛ) и наплевательским выполнением самих линий. Сделанный по теории ШПТЛ не нуждается в компенсации ни ёмкостями, ни индуктивностями.

[UR5ZQV]

Phoenix, Вы "добросовестно" выполнили "плохой ШПТ" не учитывая межвитковых и межобмоточных емкостей и волнового линий, по принципу "сетевого" транса". Выполнить ШПТЛ на бинокле с Ктр больше 1, это "сын ошибок трудных". Без опыта, лучше использовать готовую, хорошо описанную конструкцию, с близкими параметрами.

Добавлено через 15 минут(ы):

Phoenix, при Ваших требованиях, по 3 Ом на плече (всего 6 Ом), при 1+1 первички, под 50 Ом надо (1+1)*3=6 витк. вторички.

[igor 2015]

Есть транзисторы mrf184, в какую схему их можно поставить при 12 в питании? Параметры хорошие.

[Phoenix]

Первичка, один виток оплётки кабеля, далее 0,5+0,5 В в три провода во второпластовой изоляции. Вторичка 3 витка.

Не разобрался, ещё раз объясните конструкцию.

[RK4CI]

при Ваших требованиях, по 3 Ом на плече (всего 6 Ом), при 1+1 первички, под 50 Ом надо (1+1)*3=6 витк. вторички.

Ничего подобного. Здесь обеспечивается прямая трансформация импульса каждого из транзисторов в нагрузку. 1 виток первички, 4 к нагрузке. Трансформация сопротивлений 1 к 16.

ёмкостью можно скомпенсировать не "лишнюю индуктивность", но неправильно подобранное ВОЛНОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ линий, из которых выполнен Широко Полосный Трансформатор на Линиях (ШПТЛ) и наплевательским выполнением самих линий.

А что такое сама линия? Это и есть распределённые по всей длине линии сумма емкостей и индуктивностей. В данном случае емкость между витками мала, и её вполне можно скомпенсировать. Останется активное сопротивление потерь, которое не скомпенсируешь ничем. Но это можно скомпенсировать только количеством меде, то есть увеличением толщины проводов, и меньшим количеством изоляции. При 24 В питания, вполне можно обойтись и обычным проводом в эмалевой изоляции. То как выполнил трансформатор автор, конечно не образец для подражания. Но при соответствующей компенсации, и он заработает.

Не разобрался, ещё раз объясните конструкцию.

Один виток оплёткис центром к транзисторам. Концы получаются на противоположной стороне К концам оплётки припаиваются провод, который возвращается назад к транзисторам и паяется напрямую к стокам. На середину оплётки обращённой к транзисторам подаётся питание. И с этой же точки стоят шунтирующие емкостя на массу, и к этой же точке паяются истоки. Импульс тока протекает напрямую между истоком и стоком практичеки не "растекаясь". Каждый виток в стоке транзисторов, 0,5 витка оплётки+0,5 витка набором проводов. Можно и эти полувиточки выполнить из медной трубочки подходящего диаметра. Для изоляции от опдётки, пользуемся термоусадкой. Нет трубочки, изготавливаем её сами из полоски меди. Даже лучше не трубочки а полоски шириной, что бы плотно вставить в отверстие. Конечно не забываем об изоляции между полуобмотками. Четыре витка вторички мотаете 2 витка в одной половине образовавшихся секций, плюс два витка во второй. Толщина провода максимальная, которую получится уместить. Полноценной линии не получится, но индуктивность рассеивания получится минимальной, и сопротивление активных потерь так же.

[Леонид3]

..В данном случае емкость между витками мала..

Ни мала, ни велика эта ёмкость будет лишь в одном случае -- когда ВОЛНОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ линий равно теоретическому, а именно КОРНЮ КВАДРАТНОМУ из произведения входного и выходного сопротивлений ШПТЛ, на что я и указал в посте №174

[RK4CI]

когда ВОЛНОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ линий равно теоретическому, а именно КОРНЮ КВАДРАТНОМУ из произведения входного и выходного сопротивлений ШПТЛ

Ну имеем мы кабель 12,5 ома. И что с ним делать дальше? Как этой линией странформировать 3 ома к 50?