Уважаемые посетители! Форум CQHAM.RU существует исключительно за счет показа рекламы. Мы будем благодарны, если Вы не будете блокировать рекламу на нашем Форуме. Просим внести cqham.ru в список исключений для Вашего блокировщика рекламы.
Страница 11 из 34 ПерваяПервая ... 89101112131421 ... ПоследняяПоследняя
Показано с 101 по 110 из 336

Тема: Усилители 30-100 ватт на полевиках

  1. #101
    Цитата Сообщение от RK4CI Посмотреть сообщение
    Так что если кто надумает собирать УМ по этой схеме, то первое, снижайте напряжение питания
    Насчет 40 В явно автор погорячился, вообще есть золотое правило для надежности, напряжение питания должно быть как минимум в 2 раза меньше, чем предельно-допустимое на коллекторе (стоке), для ИРФ510 предельное 55В кажется, поэтому 24...27В, не более.
    А фото подобного усилителя было вот тут http://r1zh.ru/cb_base_pa/4irf.htm
    Делал и я его лет 10 назад, работал вполне ничего по 14МГц включительно, правда больше 15В БП и 1Вт раскачки тогда не было, поэтому супер мощностей не было, но надежных 30-40Ватт давал. Рисунок платы к сожалению накрылся при сбое диска, но особого смысла нет рисовать, сам потом понял, что дольше рисовал, чем было бы процарапать резаком островки на текстолите где нужно.


  2. #102
    Цитата Сообщение от Serg Посмотреть сообщение
    для ИРФ510 предельное 55В кажется
    Для ИРФ510 предельное напряжение 100В. Так что 36-40 В питания для них самое то. Другое дело, что по неопытности и желании выжать максимум мощи при таком напряжении питания их очень легко убить. Поэтому начинающим экспериментаторам лучше экспериментировать при питании как раз 24...27В, не более. До тех пор пока не появится понимание как надо делать усилители и сколько выходной мощности могут отдавать эти транзисторы в расчёте на долговременную перспективу .

  3. #103
    Сейчас массово IRF510 перемаркируют. Видимо то из серии IRF , что не пользуется спросом. По крайней мере, нужно хотя бы емкость затвор-исток проверять при покупке, или приобретать у надежного поставщика. Имею горький опыт покупки с емкостью з-и 2200 пФ и более.

  4. #104

    Регистрация
    25.12.2008
    Адрес
    LO19AQ
    Сообщений
    2,559
    Позывной
    ra1qea
    Цитата Сообщение от Serg Посмотреть сообщение
    ... для ИРФ510 предельное 55В кажется, поэтому 24...27В, не более.
    А фото подобного усилителя было вот тут http://r1zh.ru/cb_base_pa/4irf.htm ... Рисунок платы к сожалению накрылся при сбое диска, ...
    Serg, я собтраюсь использовать транзисторы MS-1307, благо у меня их 8 штук, лежат давно, лет 14 и не "китай" и не перемаркированные. Сожалею, что не сохранились чертежи платы.

  5. #105
    Цитата Сообщение от SNABBER Посмотреть сообщение
    Сейчас массово IRF510 перемаркируют. Видимо то из серии IRF , что не пользуется спросом. По крайней мере, нужно хотя бы емкость затвор-исток проверять при покупке, или приобретать у надежного поставщика. Имею горький опыт покупки с емкостью з-и 2200 пФ и более.
    Совершенно верно, у "правильного" IRF510 ёмкость з-и будет в пределах 300-400 пФ. На счёт перемаркировки сомневаюсь, более вероятно что некоторые производители из (страну не буду называть и так все знают ) сразу в производстве используют более дешёвые кристаллы с худшими временными параметрами и изначально на корпусе маркируют как IRF510. То есть это не перемаркировка а подделка.

  6. #106

    Регистрация
    26.02.2004
    Адрес
    Николаев
    Сообщений
    13,753
    Позывной
    UR5ZQV
    Почему то считал (исчитаю), что полевики с изолированным затвором управляются эл. полем (без всяких времен рекомбинации носителей и пр. физике, свойственным биполярным переходам). Время переключения в даташитах определяется в ключевом режиме в тестовой схеме и определяется паразитными реактивными параметрами (в основном емкостями), к быстродействию самого "тела канала" отношения не имеет. Работают строго по ВАХ (как лампы). Для борьбы с завалом на ВЧ использую общеизвестные методы;
    1.Небольшая ООС в истоке (десятые доли ома, чтоб не съедала силно КПД), уменьшает разброс пары, линеаризует ВАХ, уменьшает динамическую емкость затвор-исток).
    2.нагружаю входную емкость десятками (и даже единицами в зависимости от входной емкости) Ом, чтоб не гнаться за Ку по напряжению, который сильно увеличивает проходную емкость, плюс это уменьшает риск самовозбуда.
    3.Компесирую полученную входную емкость каким либо известным способом.
    4.Все это просчитываю для нужных режимов на всех диапазонах (желательно бы еще промоделировать).
    5.При смене режима (например на ВЧ из за падения раскачки при падении Кр) меняю нагрузку с помощью СУ на выходе, после ШПТ и ФНЧ (ШПТ вполне терпят рассогласование до 2...3 по сопротивлению), все равно СУ необходимо при работе на антенну.
    ПС:Использую как однотактные так и двухтактные РА на ИРФ различных мощностей (один из моих рабочих РА - 2хИРФ730, 40В, 4...2А, при Рвх= 5Вт, плавное падение начинается с 14МГц, на НЧ можно и больше, до 6А, но долговременно не позволяют возможности радиаторов и ШПТ, использую только для коротких ЩСО).
    Александр. (Ex: RB5ZDR, UQ2GKQ)

  7. Спасибо от tomcat

  8. #107
    Цитата Сообщение от UR5ZQV Посмотреть сообщение
    Почему то считал (исчитаю), что полевики с изолированным затвором управляются эл. полем (без всяких времен рекомбинации носителей и пр. физике, свойственным биполярным переходам).
    Если глубже копнёте тему, то обнаружите, что в структуре ключевых полевых транзисторов присутствует паразитный биполярный транзистор параллено переходу С-И, который при большой скорости нарастания напряжения на стоке открывается через ёмкость К-Б и начинает проводить ток. Наличием такой побочной транзисторной структуры как раз и ограничены частотные свойства обсуждаемых здесь IRF, когда с ростом частоты при неизменной подводимой мощности от источника питания, начинает падать максимальная мощность выходного ВЧ напряжения, потому что увеличивается доля мощности рассеиваемой на транзисторах из-за увеличения скорости нарастания напряжения на стоке.
    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	image011.gif 
Просмотров:	994 
Размер:	21.3 Кб 
ID:	241294

  9. #108

    Регистрация
    22.02.2009
    Адрес
    Энгельс
    Сообщений
    12,877
    Позывной
    RK4CI
    Цитата Сообщение от Oleg 9 Посмотреть сообщение
    логично предположить что имеете ввиду линейный УМ
    Именно. Имелось ввиду применение ключевых транзисторов в линейных УМ.

    Цитата Сообщение от Oleg 9 Посмотреть сообщение
    Какая выходная мощность была на 28 МГц при питании 28 вольт и уровне интермодуляционных искажений
    Извините, но я не считаю нужным измерять линейность каскада, который при однотоновом сигнале работает с КПД чуть более 10 %. И это, при работе на подобранную нагрузку. Например на 3,5 мгГц, при том же токе, и тех же условиях, мощность превысила бы 100 ватт. И виноваты в этом были именно транзисторы. А не сопротивление нагрузки, или что то другое. Количество витков в выходном трансформаторе менялось без проблем. Только вот при повышении сопротивления нагрузки, напряжение на стоках расти не желало. Выходной трансформатор, и симметрирующий, так же практически без переделок, переходили из конструкции в конструкцию. И с более удачными транзисторами, КПД на 28 мгГц, однозначно получалось выше 50 %. И к тому же, при определённом коэффициенте трансформации, импульсы тока транзисторов, и того что достаётся нагрузке считаются без проблем. Так вот, сопротивление потерь, с некоторыми партиями транзисторов, получалось ну очень низким. Из-за непредсказуемости результатов, и бросил заниматься IRFами, и возвращаться к ним особого желания нет. Если вам подобные транзисторы ещё не попадались, то можете считать что вам повезло.

  10. #109
    Цитата Сообщение от RK4CI Посмотреть сообщение
    А не сопротивление нагрузки, или что то другое. Количество витков в выходном трансформаторе менялось без проблем. Только вот при повышении сопротивления нагрузки, напряжение на стоках расти не желало.
    Почему так происходит написал в предыдущем сообщении, это явление мне известно.
    Цитата Сообщение от RK4CI Посмотреть сообщение
    И с более удачными транзисторами, КПД на 28 мгГц, однозначно получалось выше 50 %.
    О том и вопрос, какой уровень IMD был при этом на 28 МГц? если -15 дБн, то такой "линейный" усилитель тоже не особо нужен.
    Цитата Сообщение от RK4CI Посмотреть сообщение
    Из-за непредсказуемости результатов, и бросил заниматься IRFами, и возвращаться к ним особого желания нет. Если вам подобные транзисторы ещё не попадались, то можете считать что вам повезло.
    Транзисторы всякие попадались, поэтому полностью согласен. Но для того чтобы кому-либо приобрести опыт в построении УМ, те же IRF510 вполне неплохи из-за дешевизны. Особенно если ограничиться верхней рабочей частотой усилителя в 10 МГц.


  11. #110
    Цитата Сообщение от RK4CI Посмотреть сообщение
    бросил заниматься IRFами, и возвращаться к ним особого желания нет. Если вам подобные транзисторы ещё не попадались
    Вот и приехали, у меня на купленых десять лет назад транзисторах ИРФ520 (оригинальных) получился не плохой усилитель на 10ку, при 14 вольтах питания один транзистор выдавал 20 ватт. А сейчас их делает толи самсунг толи ещё кто-то но получается это совсем не "те" транзисторы.
    Резонанс где-то рядом!

Страница 11 из 34 ПерваяПервая ... 89101112131421 ... ПоследняяПоследняя

Информация о теме

Пользователи, просматривающие эту тему

Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)

Похожие темы

  1. 100 Ватт на одном MRF186
    от UA0SM в разделе КВ усилители
    Ответов: 96
    Последнее сообщение: 06.03.2020, 20:07
  2. FT 990 40 Ватт вместо 100
    от UA9KW в разделе FT-990
    Ответов: 38
    Последнее сообщение: 30.04.2016, 17:16
  3. Нужна помощь по ремонту УМ 100 ватт
    от alexis в разделе Технический кабинет
    Ответов: 32
    Последнее сообщение: 25.11.2014, 08:46
  4. Усилители на полевиках 2П913А
    от Игорь UR3CCX в разделе КВ усилители
    Ответов: 10
    Последнее сообщение: 27.09.2010, 08:59
  5. FT 990 40 Ватт вместо 100
    от UA9KW в разделе Трансиверы, приемники КВ/УКВ
    Ответов: 35
    Последнее сообщение: 22.09.2008, 06:30

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •