Скорее всего, она у Вас есть. Подайте на вход фазовращателя частоту, соответствующую собственной частоте настраиваемого звена, а его (звена) вход (выход предыдущего ОУ) и выход подайте на 2 канала ЗК, смотрите разность фаз. Предварительно проверьте ее, подав один сигнал на оба входа, такие ЗК как SB0570 имеют сдвиг на 1-2 такта межде каналами в зависимости от частоты дискретизацииСообщение от DX888
Вопрос наверное не совсем по прямому преобразованию, а более общий по ключевым смесителям, но всё же.
Есть два диода:
1N4148, проходная ёмкость 4пф https://www.chipdip.ru/product/1n4148
BAS316, проходная ёмкость 1.5пф https://www.chipdip.ru/product/bas316
В моделировании я просто взял два генератора с одинаковой частотой и одинаковым напряжением, диоды представил в качестве конденсаторов 4пф и 1.5пф. На нагрузке видим, что напряжение в цепи, где стоит 1.5пф почти в 3 раза меньше, чем там, где стоит 4пф:
Вопрос.
Означает-ли это, что на практике, если вместо 1N4148 поставить BAS316 в классическом смесителе трансивера прямого преобразования, то получится существенно снизить уровень несущей при передаче?
DX888,1.Если они сбалансированы, то почти по барабану (если сильно изголяться то можно каждый ключ отдельно сбаллансировать для открытого состояния потенциометром и подстр. емкостями для закрытого).Означает-ли это, что на практике, если вместо 1N4148 поставить BAS316 в классическом смесителе трансивера прямого преобразования, то получится существенно снизить уровень несущей при передаче?
2.Емкость диода нелинейна, в модели надо либо варикап ставить параллельно, либо должна быть предусмотрена в самой модели диода.
3.В симуляторе, вообще по барабану, там модели строго одинаковые.
Так, давайте освежим память и ещё пройдёмся по теории)
1. Модель трансформатора со средней точкой (трансформатор от синтезатора, который формирует для диодов 2 сигнала со сдвигом 180гр)
2. Схема смесителя
Итак. Рассмотрим состояние диодов по градусной шкале сигнала с синтезатора.
1. 90 градусов
Пошла первая полуволна, зелёная, 1. На пике "горба", то есть через 90 градусов открывается диод VD1
Одновременно с ней пошла вторая полуволна, красная, 2. На пике "горба", то есть через 90 градусов открывается диод VD2
Диоды VD3 и VD4 в этот момент закрыты.
Таким образом, при 90 градусах у нас одновременно открыты диоды VD1 и VD2. Своим открытым состоянием, через балансирующий резистор R1 и обе обмотки трансформатора Тр2 они сажают верхнее плечо смесителя на землю. Сопротивление открытых диодов постоянному току около 500Ом. Резистор R1, допустим имеет ползунок строго по-середине, то есть по 250 Ом на диод. Итого, мы получим два "резистора" по 750Ом, их общее сопротивление будет около 375Ом. То есть для НЧ сигнала сопротивление смесителя будет около 375Ом для каждого плеча.
2. 180 градусов - все диоды закрыты, т.к. напряжение на них 0.
3. 270 градусов.
Пошла вторая полуволна, красная, 2. На пике "горба", то есть через 270 градусов открывается диод VD3
Одновременно с ней пошла первая полуволна, зелёная, 1. На пике "горба", то есть через 270 градусов открывается диод VD4
Диоды VD1 и VD2 в этот момент закрыты.
Таким образом, при 270 градусах у нас одновременно открыты диоды VD3 и VD4, которые по прошлой аналогии сажают на массу нижнее плечо смесителя.
Итог.
Разница между 90 и 270 = 180 градусов. Таким образом, то верхнее, то нижнее плечо смесителя замыкается на массу с интервалом в 180 градусов.
==================== ==================== ==================== =================
Теперь поговорим о подавление несущей в режиме передача.
1. Сначала нужно рассмотреть момент, когда диоды открыты. Возьмём VD1 и VD2. На них сигнал с синтезатора, через трансформатор Тр2 подаётся со смещением 180 градусов. То есть по амплитуде, если диоды условно идеальны и с обеих обмоток трансформатора приходит условно идеально равный по амплитуде сигнал - они друг друга взаимно уничтожат, уровень несущей будет 0. Но, в реальности это не бывает. Поэтому и ставятся многооборотные, не индуктивные подстроечные резисторы, R1.
Теперь, смотрите какой провёл эксперимент. В модели ставил разные переменные резисторы и смотрел, на сколько увеличится уровень несущей, при изменении сопротивления на 1% в ту или иную сторону:
2кОм = 45мкВ
1кОм (по схеме Полякова) = 30мкВ
500 Ом = 18мкВ
200 Ом = 8мкВ
100 Ом = 4мкВ
Как видим, чем меньше сопротивление этого резистора, тем плавнее можно в реальности подстроить баланс амплитуд, и, следовательно подавление несущей. И наоборот, чем больше сопротивление этого балансировочного резистора, тем сложнее подавить несущую, т.к. чуть крутанул, хотя бы на 1% - уже уровень условных аж 45мкВ. Говоря ещё проще, плавность подавления несущей со 100 Ом резистором в 10 раз выше, чем с 2кОм.
Вопрос. На практике, выходит нужно ставить самый минимальный многооборотный резистор, который выпускает промышленность, то есть на 100 Ом? Почему же тогда Поляков в своей схеме поставил по 1кОм? Может просто потому, что в те годы промышленность ещё не выпускала 100Ом не индуктивные подстроечники?)
2. С открытым состоянием диодов, будем считать разобрались. Теперь поговорим о закрытом. В закрытом состоянии, например к VD3 и VD4 тоже прикладывается напряжение от синтезатора. И оно будет просачиваться через внутреннюю ёмкость диодов. Следовательно, чем ниже эта ёмкость, тем и просачивание сигнала будет ниже, а сл-но и несущая? UR5ZQV - это же логично, почему вы с этим не согласны? Можете пояснить?
3. Монтаж.
В реальности будет печатная плата, дорожки и т.д. Нужно конечно стремиться к идеальному расположение дорожек, их длине и т.д. Т.к. я сейчас в модели пробовал параллельно диодам подключать конденсаторы, уже при сотых и десятых долей пф уровень условной несущей увеличивается в десятки раз. Рисунок:
Следовательно, на практике, в реальности, нужно будет параллельно каждому диоду подключить вот такой smd микро подстроечный конденсатор, верно? Типа таких: https://ru.aliexpress.com/item/10-3P...845044847.html Вопрос. 3pf хватит, или лучше 6pf заказать?
==================== ==================== ==================== =================
И ещё один момент, по балансировочным резисторам. Да, моделирование показало, что чем меньше их сопротивление, тем плавнее можно достичь баланса, а сл-но и подавление несущей. Однако, как сопротивление этих резисторов будет влиять на остальные узлы трансивера, в частности, на ВЧ фазовращатель? Ведь эти подстроечные резисторы + открытое сопротивление диодов, по-сути являются его нагрузкой, верно? То есть, если по-Полякову эти резисторы 1кОм, то ВЧ фазовращатель рассчитывается для одного сопротивления нагрузки, а если их уменьшить до 100Ом, то данные ВЧ фазовращателя придётся пересчитывать, так?
Последний раз редактировалось DX888; 03.03.2019 в 22:45.
Вот еще смакетировал смеситель + фазовращатель.
1. По методике Демидова и Морозова рассчитал для 80м диапазона ВЧ фазовращатель 4 порядка. Расчётное подавление USB - 130дб.
2. После чего подогнал ёмкости и индуктивности к стандартным, заводским значениям. Хочу использовать стандартные SMD дроссели, типа таких: https://www.chipdip.ru/product/lqh32mn270k23l Расчётное подавление нерабочей полосы 130дб, это колоссальное значение, в реальности такое не нужно, да и невозможно будет добиться, поэтому, полагаю можно будет использовать заводские дроссели с низкой добротностью.
3. Регулировку подавления нерабочей боковой - многооборотными резисторами R2 и R3. В моделировании, после каждого изменения значения этих сопротивлений и запуска, нужно ждать около 15-20 минут, пока анализатор спектра покажет точный результат. Поэтому за несколько часов подобрал примерные значения, с ними подавление USB - больше 40дб. В реальности, когда можно будет "в живую" крутить подстроечники, полагаю будет существенно выше.
3.1. Проверил подавление боковой во всём диапазоне, от 3.5 до 3.8МГц - везде подавление равномерное.
4. В моделировании несущая подавлена полностью, но, это и понятно, моделирование. Для реального применения разместил параллельно диодам постоянные и подстроечные конденсаторы. Проверьте пожалуйста, правильно-ли? И так же желательно определиться с их ёмкостью. Я поставил "от балды" по 10 и 20пф, но, сколько нужно точно?
5. Трансформаторы буду использовать готовые от минициркулей TC1-1T+ https://www.minicircuits.com/pdfs/TC1-1T+.pdf , поскольку есть в наличие. Они могут работать от 400кГц, поэтому, полагаю и на 80м диапазоне будут работать отлично.
Вот схема:
Что скажете?
Последний раз редактировалось DX888; 04.03.2019 в 07:15.
Почитайте вот эту тему: http://www.cqham.ru/forum/showthread...F0%EE%EC/page7
Конкретнее вот этот пост:
http://www.cqham.ru/forum/showthread...=1#post1575870
Спасибо от DX888
DX888,Именно "этой шкалой" я щас и занимаюсь.Рассмотрим состояние диодов по градусной шкале сигнала с синтезатора.
Пощадите, мне даже 40 об. град. после Ваших "опусов"не помогают.Таким образом, при 270 градусах у нас одновременно открыты диоды VD3 и VD4, которые по прошлой аналогии сажают на массу нижнее плечо смесителя.
Я не знаю, что такое "прошлая аналогия" (чего с чем?), не понимаю зачем Вы в симулятор поставили некую модель трансформатора "10:5:5" с неизвестными параметрами (в Ворк Бенче я их сначала просматриваю, потом рихтую под свои параметры, а если надо то и "рожаю"), и запитали от ОДНОГО источника, А дальше направили сигналы с него неизвестно куда, неизвестно на кой. А внизу ссылаетесь на схему Полякова, где ДВА НЕЗАВИСИМЫХ СМЕСИТЕЛЯ с двумя квадратурными источниками (и именно из за того в пассивном ВЧ RC ФВ смесители из за него становятся "взаимозависимым и", отчего в одном из СДР мне пришлось делать разветвление каналов на пассивных ответвителях, шоб увеличить развязку каналов, т.е. уменьшить взаимовлияние).
ПС:Уф-ф-ф! Для первой чекушки хватит, для начала. Задать 100 вопросов, простым давлением на "Клаву" легче, чем попытаться ответить хотя бы на один из них.
DX888, зачем Вам всё это, какую цель Вы преследуете?
IG_58, собрать трансивер Полякова на современной элементной базе с чуть более лучшими характеристиками. Чтобы получилось что-то среднее между оригинальным и каким-нибудь Пилигримом)
Я понимаю, что не из-за любви к искусству. Не пойму только, зачем эти все моделирования и симулирования. Кто Вам мешает просто ... спаять этот трансивер на современной элементной базе - банально, паяльником, из настоящих, не виртуальных деталей?
Спасибо от UR5ZQV
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
