Уважаемые посетители! Форум CQHAM.RU существует исключительно за счет показа рекламы. Мы будем благодарны, если Вы не будете блокировать рекламу на нашем Форуме. Просим внести cqham.ru в список исключений для Вашего блокировщика рекламы.
Страница 1 из 4 1234 ПоследняяПоследняя
Показано с 1 по 10 из 34

Тема: Проверка MOSFET на ВЧ

  1. #1

    Проверка MOSFET на ВЧ

    Накопилось различных полевиков в корпусах ТО220 и ТО247, решил их "прокачать" на предмет пригодности для КВ.

    Схему стенда прилагаю.
    В качестве источника сигнала будет трансивер, с выходом не меньше 3-5 Ватт.
    Т.к. из-за емкости затворов мосфеты "любят" низкое входное сопротивление, поэтому можно применить простой делитель из сопротивлений, расчетное затухание порядка 15дБ, делитель одновременно даст по затвору нагрузку в районе 6 Ом и погасит лишнюю мощность драйвера.

    На выходе будет ШПТЛ в 4 провода с переключением выводов 16/8/4 к 1, думаю, что этих пределов сопротивлений хватит.

    Какие будут замечания и предложения по схеме стенда, ООС может какую-то ввести сразу? (предлагайте номиналы)

    Результаты измерений буду добавлять по мере проведения эксперимента.
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	fet_test.jpg 
Просмотров:	1539 
Размер:	24.1 Кб 
ID:	261081  

  2. Спасибо от Павел Непийвода


  3. #2
    Serg, зачем плюс на затворе? без сигнала на входе транзистор сразу выйдет из строя.

  4. #3
    Владимир88, плюс не полный же, а дать начальный ток, приоткрыть его, чтобы проверить и на линейных сигналах.
    Многооборотным подстроечным нормально крутилось раньше на IRF510.
    Последний раз редактировалось Serg; 19.04.2017 в 22:09.

  5. #4
    Serg, чуть промахнёшься на пол вольта и транзистор почти полностью открыт, выйдет из строя

  6. #5
    Цитата Сообщение от Владимир88 Посмотреть сообщение
    чуть промахнёшься на пол вольта
    На полвольта это совсем не чуть.
    Обычный делитель с многооборотным резистором позволять очень аккуратно регулировать.
    Только желательно сразу в формирователь источника смещения такого напряжения ввести ОС по температуре, терморезистор закрепить на теплоотводе рядом с транзистором и включить его в состав делителя. И ограничить верхний предел, например, грубо, обычным резистором.

    Нужно помнить, что НЧ МОСФЕТы обладают очень высокой крутизной, легко открываются. БП должен быть с регулируемым током защиты.

    А вообще, справочные данные такого транзистора позволяют весьма точно прикинуть для чего он годен и без теста.

  7. #6
    Serg, а что не двухтактный сразу? Пытал в исток, правда цель была иная: использовать проходную ёмкость в качестве элемента ООС, не вышло
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IRFх2.jpg 
Просмотров:	445 
Размер:	57.6 Кб 
ID:	261082  
    Леонид

  8. #7
    Цитата Сообщение от Леонид3 Посмотреть сообщение
    а что не двухтактный сразу?
    Меньше "потеря бойцов" и без возни с согласованием по входу.
    Двухтактный уже будет потом из более пригодных, в т.ч. и в классе D только для CW/FSK.
    А оставшиеся в живых, но совсем негодные на ВЧ еще пригодятся куда-то, в стабилизаторы напряжения и т.д.

  9. #8
    Хендмейдер и флудер Аватар для UN8GEQ
    Регистрация
    25.01.2012
    Адрес
    Алматы
    Сообщений
    1,475
    Позывной
    UN8GEQ
    Цитата Сообщение от Владимир88 Посмотреть сообщение
    Serg, зачем плюс на затворе? без сигнала на входе транзистор сразу выйдет из строя.
    Это кто такое сказал? Какие знания? У меня уже пол-года усилок на 144 пашет с постоянно поданным смещением на затворы. Надо бы переделать, да времени нет...
    Лучший усилитель-антенна... если вдуть в нее ватт 800. 73! Антон.

  10. #9
    UN8GEQ, какие у вас транзисторы, IRF...?


  11. #10

    Регистрация
    02.04.2017
    Адрес
    Воронеж
    Сообщений
    8
    Позывной
    UA3242SWL
    По этой схеме не будет работать. Схема должна быть только двухтактной. В режиме А как у вас сделать будет очень тяжело из-за высокой крутизны транзисторов. R1 убрать однозначно, т.к даже если увеличить его до 10МОм он откроет транзистор полностью. Смещение подавать только через делитель. Напряжение смещения должно быть чуть ниже порогового напряжения. Термостабильность будет никакая. После 100кГц очень сильно сказывается влияние емкости затвор-исток, которая находиться в диапазоне от 300пФ до 2000пФ в зависимости от типа транзистора. Хорошие результаты можно получить на современных транзисторах последнего поколения которые имеют маленький заряд затвора, но они запрещены к ввозу в Россию.
    Почитайте Хоровиц и Хилл "Искусство схемотехники" там хорошо описаны полевые транзисторы и типовые схемы на них.
    Посмотрите здесь пример схемотехники: http://rftibe.com/Schematic%20300w%2...e%20Mosfet.htm

  12. Спасибо от rock fan

Страница 1 из 4 1234 ПоследняяПоследняя

Информация о теме

Пользователи, просматривающие эту тему

Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)

Похожие темы

  1. Проверка
    от ua9jcy alex в разделе Тестовый форум
    Ответов: 13
    Последнее сообщение: 17.07.2020, 15:41
  2. Трансивер "Шарманка" на MOSFET
    от Сергей01 в разделе Темы не вошедшие в другие разделы форума
    Ответов: 52
    Последнее сообщение: 16.11.2014, 17:14
  3. Мощный РА на дешевых MOSFET
    от AlexanderTT в разделе КВ усилители
    Ответов: 70
    Последнее сообщение: 05.05.2009, 00:51
  4. Нужет транзистор N-Channel MOSFET
    от RA3AKF в разделе Технический кабинет
    Ответов: 34
    Последнее сообщение: 05.12.2007, 23:31
  5. Проверка варикапов
    от Zetron в разделе Технический кабинет
    Ответов: 2
    Последнее сообщение: 07.09.2005, 19:53

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •