Радиатор более чем достаточен, посчитайте площадь. Кстати я написал, что площадь достаточна чтобы в течении минуты произвести замеры. Какую термокомпенсацию, если за транзистор через 10 секунд нельзя взяться, а померять нужно было в критических точках. Т.е. замеры проводились при напряжении питания 13,6 В , класс А без фильтрации чистые возможности транзисторов. Кратковременно получена мощность 54 Вт, синусоида визуально чистая, но время жизни транзисторов 5 - 10 сек. Далее аналогично для мощности 25, 12 и 4Вт. Неискаженная синусоида при 25 Вт. продержалась не намного дольше. 12Вт. - таже картина. Это при том, что мои транзисторы отобраны в пары и практически не требуют балансировки. Трансформаторы очень тщательно отбирались и отлично работают, причем изготовлено три выходных трансформатора из разного феррита и разных производителей. Далее, когда стало более -менее ясно с имп. полевыми, т.е. сделан вывод, что виной исключительно ток покоя(локальный перегрев кристалла происходит настолько быстро, что площадь поверхности транзистора не успевает передать радиатору тепло) в истоковые цепи транзисторов были установлены сопротивления мощн. 0,5 Вт. (какие были) с сопротивлением 1 Ом., зашунтированные емкостями 0,1 мкф., с целью уберечь транзисторы (ибо напалено немало в ходе экспериментов) и определится - какую выходную мощность в классе А можно получить не опасаясь, что сгорят при первом чихе. Дело в том, что приходилось делать двухтактные усилители для ЧМ, легко получалось 50 - 60 Вт. в классе "С" на этих транзисторах, в классе "А" такой номер не проходит.
Добавлено через 34 минут(ы):
Прошу прощения прочел как : "Слишком маленький".