Недавно на схемах нашёл интересные включения монолитных сборок. Не совсем понимаю зачем их включать параллельно или по двухтактной схеме? Какие это преимущества даст перед стандартной схемой включения?
Недавно на схемах нашёл интересные включения монолитных сборок. Не совсем понимаю зачем их включать параллельно или по двухтактной схеме? Какие это преимущества даст перед стандартной схемой включения?
Для понижения выходного сопротивления. Следовательно, для повышения нагрузочной способности.Сообщение от Alex Stene
В частности для уменьшения уровня интермодуляционных искажений.
А как это скажется на уровне собственных шумов?
Последний раз редактировалось RU9CA; 04.04.2018 в 06:27. Причина: Оверквотинг
При параллельном включении, например, транзисторов, шум уменьшается в кв. корень из их количества (была статья в одном из журналов то ли Радио, то ли в выпуске "В помощь радиолюбителю" где-то в конце 70-х, вместе со схемой и подробным обоснованием концепции).
Например, если два транзистора включить в параллель, то шум уменьшится в 1,41 раза. Если 4 транзистора в параллель, то в 2 раза. Но необходимо, чтобы транзисторы имели малый разброс по параметрам.
Этим иногда пользуются разработчики при создании высокочувствительных малошумящих усилителей. Например, микрофонных.
Но чем больше включено транзисторов в параллель, тем медленнее снижается шум, но значительно возрастает себестоимость устройства при массовом производстве. Если 10 транзисторов влепить в параллель, то шум снизится только в 3,16 раза.
В случае ОУ, думаю что точно также, хотя не уверен.
Когда-то, очень давно собирал схему чувствительного усилителя из выше упомянутого источника, у которого на входе стояли подобранные по бета два КТ3102Д, работавшие в режиме микротоков (общее коллекторное сопротивление при Uпит.=9В было равно 130кОм). Согласование относительно высокого получившегося Rвых. первого каскада с последующим каскадом усиления с ОЭ было с помощью истокового повторителя.
Параллельное включение ОУ так же позволяет уменьшить шумы.
По ссылке публикация где Автор параллельно подключил 20 (двадцать ОУ). Собственные шумы 220 пВ/Гц. Для сравнения: тепловые шумы 435 пиковольт резистора 50 Ом. По данным Автора уровень собственных шумов усилителя вдвое меньше теплового шума резистора 50 Ом при комнатной температуре в полосе 1 Гц нагруженного на идеальный не шумящий резистор.
http://www.hoffmann-hochfrequenz.de/downloads/lono.pdf
Последний раз редактировалось sgk; 02.04.2018 в 09:05.
Спасибо от LY1SD
Я так и предположил, хотя и не был полностью уверен:
Теперь уверен полностью.
LY1SD,Александр, как Вы правы. Ставим в параллель, штук 25 J310, шумы уменьшаются, пропорционально корню квадратному из количества транзисторов, верхнее ДД повышается, пропорционально кол-ву транзисторов (по мощности). Потом по мелочам, согласовать выходные сопр., и входные и проходные емкости под входное сопр. в ШП. Ну ставят жеж в параллель 6...10 ГУ-50, да и ИРФ510 не меньше.Например, если два транзистора включить в параллель, то шум уменьшится в 1,41 раза. Если 4 транзистора в параллель, то в 2 раза. Но необходимо, чтобы транзисторы имели малый разброс по параметрам.
Этим иногда пользуются разработчики при создании высокочувствительных малошумящих усилителей. Например, микрофонных.
Абсолютно верно сказано! Спасибо!
Оказался я не совсем прав. Для второй схемы это получается на двухтактное включение, а балансное. В итоге мы получим, что собственные шумы упадут немного и повысится перегрузочная способность. Теперь яснее.
В конструкциях КВ трансиверов УВЧ на сборках таких ведь никто не применяет?
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
