А как это скажется на уровне собственных шумов?
Последний раз редактировалось RU9CA; 04.04.2018 в 06:27. Причина: Оверквотинг
При параллельном включении, например, транзисторов, шум уменьшается в кв. корень из их количества (была статья в одном из журналов то ли Радио, то ли в выпуске "В помощь радиолюбителю" где-то в конце 70-х, вместе со схемой и подробным обоснованием концепции).
Например, если два транзистора включить в параллель, то шум уменьшится в 1,41 раза. Если 4 транзистора в параллель, то в 2 раза. Но необходимо, чтобы транзисторы имели малый разброс по параметрам.
Этим иногда пользуются разработчики при создании высокочувствительных малошумящих усилителей. Например, микрофонных.
Но чем больше включено транзисторов в параллель, тем медленнее снижается шум, но значительно возрастает себестоимость устройства при массовом производстве. Если 10 транзисторов влепить в параллель, то шум снизится только в 3,16 раза.
В случае ОУ, думаю что точно также, хотя не уверен.
Когда-то, очень давно собирал схему чувствительного усилителя из выше упомянутого источника, у которого на входе стояли подобранные по бета два КТ3102Д, работавшие в режиме микротоков (общее коллекторное сопротивление при Uпит.=9В было равно 130кОм). Согласование относительно высокого получившегося Rвых. первого каскада с последующим каскадом усиления с ОЭ было с помощью истокового повторителя.
Параллельное включение ОУ так же позволяет уменьшить шумы.
По ссылке публикация где Автор параллельно подключил 20 (двадцать ОУ). Собственные шумы 220 пВ/Гц. Для сравнения: тепловые шумы 435 пиковольт резистора 50 Ом. По данным Автора уровень собственных шумов усилителя вдвое меньше теплового шума резистора 50 Ом при комнатной температуре в полосе 1 Гц нагруженного на идеальный не шумящий резистор.
http://www.hoffmann-hochfrequenz.de/downloads/lono.pdf
Последний раз редактировалось sgk; 02.04.2018 в 09:05.
Спасибо от LY1SD
LY1SD,Александр, как Вы правы. Ставим в параллель, штук 25 J310, шумы уменьшаются, пропорционально корню квадратному из количества транзисторов, верхнее ДД повышается, пропорционально кол-ву транзисторов (по мощности). Потом по мелочам, согласовать выходные сопр., и входные и проходные емкости под входное сопр. в ШП. Ну ставят жеж в параллель 6...10 ГУ-50, да и ИРФ510 не меньше.Например, если два транзистора включить в параллель, то шум уменьшится в 1,41 раза. Если 4 транзистора в параллель, то в 2 раза. Но необходимо, чтобы транзисторы имели малый разброс по параметрам.
Этим иногда пользуются разработчики при создании высокочувствительных малошумящих усилителей. Например, микрофонных.
Оказался я не совсем прав. Для второй схемы это получается на двухтактное включение, а балансное. В итоге мы получим, что собственные шумы упадут немного и повысится перегрузочная способность. Теперь яснее.
В конструкциях КВ трансиверов УВЧ на сборках таких ведь никто не применяет?
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)