Нужно ли смещение для FST3125

[LZ1AO]

Конкретно для FST3125, подавать смещение в половину VCC вряд ли стоит. Сопротивление ключа растет при напряжение на ключ (AC+DC) более 3.5V при 5V питания, при том не мало. Объяснение явления простое - падает Ugs. Оптимум смещения - в районе 2V или несколько ниже.

[RK4CI]

подавать смещение в половину VCC вряд ли стоит.

А защиты от превышения размаха на ключах, выше напряжения питания, в составе микросхемы разве не предусмотрено? Ведь в этом случае, слишком рано начнётся ограничение отрицательной полуволны. Если есть возможность измерить получающиеся параметры, конечно лучше подобрать необходимое напряжение по максимуму ДД. Но если такой возможности нет, я бы выбрал 0,5 от напряжения питания, практически для всех ключей.

[rx3apf]

Что уже более чем достаточно для всех микросхем, имеющих формирователь уровней в своём составе.

Предпочитаю следовать рекомендациям производителя и не использовать компоненты за пределами рекомендованного диапазона сигналов. Разве что уж совсем "припечет" и не будет альтернативы.

[LZ1AO]

RK4CI,
Линейный участок, где Ron меняется незначительно (FST3125) - с 0 до 3.5V на канал транзистора при 5V питания для Bus Switches. При напряжениях на канал более 4.2 -4.3 V оно нарастает очень значительно, в десятки раз. В ету область желательно не работать, если нагрузка не измеряется в килоомы. Ето все.

[RK4CI]

Линейный участок, где Ron меняется незначительно (FST3125) - с 0 до 3.5V на канал транзистора при 5V питания для Bus Switches. При напряжениях на канал более 4.2 -4.3 V оно нарастает очень значительно, в десятки раз.

Очень может быть. Данных по номиналу сопротивления ключей, в зависимости от напряжения на них, для этой микросхеме в даташите не нашёл. Исходил из рекомендуемых режимов в некоторых схемах, где они применяются, да по аналогичным параметрам ключей, на которые эти данные приводятся. Но собственно, это ещё больше ухудшает параметры схемы, при включении канала микросхемы на прохождение сигнала. Здесь лучше использовать микросхемы, в которых каналы транзисторов включены навстречу.

[LZ1AO]

Дал же я ссылку на документ TI. Читали? Все там ест, подробная графика зависимости Rкл от напряжения, при том и в логарифмическом и в линейном масштабе. Вот еще один документ:

https://www.idt.com/document/apn/157...haracteristics

Здесь все на первой странице. Так что не "Очень может быть" а именно так, как я написал.

FST3125, несмотря на то, что сделан на одиночном NMOS - один из лучших ключей, лучше многих на комплементарных MOS, если его использовать правильно. Прочитайте же документы TI и IDT и узнаете почему. Узнаете и почему в любительских смесителях его питание форсируют до 6 а иногда и до 7V.