Вот как меня учил измерять Zвх Ра UA6LGO, Сергей Николаевич. Метода в doc файле.ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ PA .doc
Вот как меня учил измерять Zвх Ра UA6LGO, Сергей Николаевич. Метода в doc файле.ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ PA .doc
Спасибо от Android-I
И это отчасти правда.
Берем для примера усилитель на биполярном транзисторе, в классе В например: одна полуволна будет нагружена (2-5 Ом реальная часть, есть еше +/-j), другая полуволна разгружена/закрыт переход. Интеграция со временем? На сколько долго? Нагрузка зависит и от входного уровня (вспоминаем ВАХ базовый переход). Сл. измерения и расчеты в кл. C, B, AB подлежат определенным договоренности, допускам и условиям.
С MOSFET относительно "простое", но там в Zi емкостная часть большая ... Опять же, расчет не такой математически "праволинейной", как напр. для активных сопротивлений в четырехполюсники.
Последний раз редактировалось veso74; 08.12.2022 в 15:03.
veso74, Веселин, добрый вечер.
Рад приветствовать почти однофамильца.
Моя фамилия Диордиев. Почти Георгиев.
А может быть и искажённая Георгиев.
Дед из тех болгар, что сбежали от турок на Украину и в Молдавию.
Так что, практически однофамильцы.
По поводу входного сопротивления усилителя в режиме с отсечкой.
У вас всё правильно. НО!
У правильно спроектированного усилителя входное сопротивление не должно зависеть от уровня раскачки.
В противном случае усилитель получается нелинейным по входу со всем отсюда вытекающим.
Да, АТТ -1..-3 dB в 90% "спасает" ситуацию (и ООВ). Но напрямую: влияет.
Опять своими "заклинаниями" стали говорить.Чур меня, чур, изыди.
Хоть бы расшифровывали свои Аббревиатуры.
SAM, я пока не попробовал по этому способу, но очень интересно. Спасибо.
Спасибо от SAM
Графитовый переменный резистор до 200 Ом, подключенный последовательно входу Усилителя Мощности, нифига не дает правильных и сколько-нибудь понятных данных для измерения Импеданса. Чушь. Не работает.... все рассогласовывается.
Потому, что кроме активной составляющей входного сопротивления присутствует реактивка.
Android-I, Обычно, вх. сопр. не измеряют, а задают, схемой, с параметрами ООС (параллельной и последовательной, если надо вместе), параметрами акт. приборов по даташиту/ТУ, с учетом всех же параметров, включая паразитные реактивности, по тем же даташитам/ ТУ.
ПС: Но имеете право организовать еще десяток пустых тем.
И Вы конечно же с радостью предложите простые, "дедовские" способы измерения этих сопротивлений ? А?Сообщение от RA9SVY
Это для Вас пустые, а для меня имеющие смысл. Какой? А это не Ваше дело. Может я к апокалипсису готовлюсь, когда не будет интернета
Если есть схема,то у нее должны быть способы измерения её параметров, но Вы об этом вряд-ли знаете. Я, кстати, тоже.
А флудить и я умею.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
