Что может звуковая карта

[vadim_d]

а потом подключить ограничитель (см. рисунок, потенциометр соединить с питанием) и его потенциометром установить на выходе буфера амплитуду процентов на 10 меньше (т.е. только убрать насыщение транзистора), и только теперь измерить шумы

К движку потенциометра блокировочный конденсатор на землю нужен, а то непонятно что намеряем . И говорить о насыщении вряд ли корректно, с большей вероятностью нелинейность начнется с заходом в отсечку

Добавлено через 5 минут(ы):

Сейчас картинка более наглядна для анализа и принятия решения - транзистор в насыщении или нет

То есть и линия нуля в каналах общая, и масштаб одинаков? Тогда вроде есть и отсечка, и насыщение

[sgk]

То есть и линия нуля в каналах общая, и масштаб одинаков?

Уровень нуля одинаков и проверен для двух каналов, масштаб одинаков -1 В/деление, указано на копии экрана прибора.

Тогда вроде есть и отсечка, и насыщение

Почему тогда фазовые шумы минимальны?

[vadim_d]

Почему тогда фазовые шумы минимальны?

Наверное, транзистор очень хороший . А если серьезно, то при наличии контролируемого диодного ограничителя можно будет попробовать сделать легкое ограничение при сохранении линейного режима и сравнить. Сейчас верхняя горизонтальная полка на коллекторном напряжении - отсечка, а область, где коллекторная осциллограмма совпадает с эмиттерной - насыщение

[sgk]

Наверное, транзистор очень хороший

Транзистор как транзистор, чего либо выдающегося в описании не видно
http://www.nxp.com/documents/data_sh...G67_X_XR_N.pdf

А если серьезно, то при наличии контролируемого диодного ограничителя можно будет попробовать сделать легкое ограничение при сохранении линейного режима и сравнить.

При уменьшении тока коллектора транзистор переходит в режим где нет насыщения, но и лучших результатов по ФШ тоже нет. Пока нет объяснения почему транзистор в насыщении, а фазовые шумы минимальные, во всяком случае в конкретном опыте.

Сейчас верхняя горизонтальная полка на коллекторном напряжении - отсечка, а область, где коллекторная осциллограмма совпадает с эмиттерной - насыщение

На рисунке осциллограмма напряжений более подробно. Ток 8,6 мАэфф.

Стрелками синего цвета отмечен период где напряжения на коллекторе и эмиттере равны. Это 9 нс из периода 83 нс. Спектры сигналов и фазовых шумов точно такие же как и в сообщениях ранее в теме.

[vadim_d]

Стрелками синего цвета отмечен период где напряжения на коллекторе и эмиттере равны. Это 9 нс из периода 83 нс.

То есть грубо всего одна десятая периода, что видимо совсем не портит картину мироздания

При уменьшении тока коллектора транзистор переходит в режим где нет насыщения, но и лучших результатов по ФШ тоже нет. Пока нет объяснения почему транзистор в насыщении, а фазовые шумы минимальные, во всяком случае в конкретном опыте

Объяснение в том, что спад амплитуды дает больший прирост ФШ, чем повышение линейности и снижение эффективного Кш за счет этого. Получается, что при сохранении линейности для бОльших амплитуд можно рассчитывать на некоторое снижение ФШ

[sgk]

Опыт с ГПД по предложениям в пост #7091
http://www.cqham.ru/forum/showthread...=1#post1290778
макет с диодом на фото, добавлен блокировочный конденсатор 0,15 мкФ. После подпайки в схеме ГПД, на резистор подано питание и анод диода подпаян к контуру, общий провод к корпусу.

Подано смещение на диод так, что размах напряжения на эмиттере транзистора в два раза меньше, режим заведомо линейный. На копии экрана жёлтым цветом напряжение на коллекторе, красным на эмиттере транзистора. Уровень смещения на диоде 3,05 В.

Спектр сигнала и фазовых шумов в сравнении.

[LZ1AO]

sgk,
Сергей, сейчас увидел Ваши картинки. Да, транзистор заходит в насыщении. И всегда работает с отсечкой, во всех картинках выше. Я смоделировал Вашу схему в SPICE, результат соответствует Вашим осциллограммам. Наверно Вам будеть интересна величина тока через катушки. У меня в модели - Q катушки - 230, все конденсаторы с Q=1000. Tок через катушки - 150mA RMS.

А ограничительний диод в верхной схеме - лучше использовать диод Шотки. Весьма вероятно, что повышенный шум в ближней зоне наблюдаемый в последной картинке - из за рекомбинации носителей в Si диоде. Ток через диода не менее 10мА.

режим заведомо линейный.

Транзистор работает с отсечкой около 100 градусов. Он просто далеко от насыщения.

На осциллограме, где транзистор заходить в насыщении, видно что до точки насыщения транзистор - генератор тока, который поступаент в КС. Во время насыщения, транзистор - ключ, который подключает источник питания к КС, через 56 Ом в коллекторе. Т.е. в етот период контур зашунтирован частично резистором 56 Ом. Ето вероятно приводить к понижении QL. Вот ето мне смущает. Я бы попробовал уменшить ток транзистора, так чтобы он работал на грани насыщения. А резистор в коллекторе - уменшил бы раз в десять. Слишком много теряется на нем. Ток коллекттора у Вас в пике за 30mA.

[vadim_d]

Подано смещение на диод так, что размах напряжения на эмиттере транзистора в два раза меньше, режим заведомо линейный

Заход в отсечку, судя по плоской вершине коллекторной осциллограммы, остался. Можно попытаться снизить уровень ПОС и подобрать режим транзистора, чтобы максимально использовать линейную область

Транзистор работает с отсечкой около 100 градусов

Опередили

[UR5ZQV]

vadim_d,

То есть и линия нуля в каналах общая, и масштаб одинаков? Тогда вроде есть и отсечка, и насыщение

И осталось решить маленькую задачу, чтоб аналоговый генератор "автоматически" не давал перехода в отсечку или насыщение, сохраняя при этом режим А, для "чистоты" синусоиды.

Добавлено через 16 минут(ы):

При этом существенно не нагружая КС и стараясь соранить режим ПОС (или отрицательного сопротивления) достаточно стабильным для практического применения.

[vadim_d]

И осталось решить маленькую задачу, чтоб аналоговый генератор "автоматически" не давал перехода в отсечку или насыщение, сохраняя при этом режим А, для "чистоты" синусоиды

Проще всего в симуляторе подобрать режим с разорванной ПОС до симметричности начала ограничения и отсечки, а потом воспроизвести живьем, подобрав ПОС для начала захода в нелинейности, и окончательно диодным ограничителем вывести назад, в линейную область. Такой пятилетний план