Идентификация SMD-компонентов по маркировке
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Код | Наименование | Фирма | Корпус | Цоколевка | Эквивалент/Краткое описание |
| 1A | BC846A | Phi ITT Mot | SOT23 | T1a | SI-N BC546A |
| 1A | BC846AW | Motorola | SOT323 | T1a | SI-N BC546A |
| 1A | FMMT3904 | Zetex | SOT23 | T1a | SI-N 2N3904 |
| 1A | SXT3904 | Infineon | SOT89 | T3a | SI-N 40V 200mA 2N3904 |
| 1A | MMBT3904 | Motorola | SOT23 | T1a | SI-N 2N3904 |
| 1A | IRLML2402 | IR | SOT23 | T1c | n-ch mosfet 20V 0.9A |
Однако наличие суффикса p говорит о производителе - фирме Philips и прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор BC846A.
Многие приборы фирмы Rohm, код которых начинаются с буквы R или G,
имеют прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например,
код RA1 также как и A1 обозначает диод BAW56, а код G6B также как и 6B
обозначает транзистор BC817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы
имеет в конце дополнительную букву (в наших таблицах заменена символом "*"),
указывающую на коэффициет усиления hfe в соответствии со
следующей таблицей.
| Code | hfe | Code | hfe | Code | hfe | Code | hfe | Code | hfe |
| A | 16-32 | B | 25-50 | D | 60-120 | E | 100-200 | F | 160-320 |
| M | 39-82 | N | 56-120 | P | 82-180 | Q | 120-270 | R | 180-390 |
| S | 270-560 | T | 390-820 | U | 560-1200 | V | 820-1800 | W | 1200-2700 |
| X | 1800-3900 | Y | 2700-5600 |
Некоторые из новых устройств фирмы Motorola имеют маленькую надпись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготовления.
Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору BC848B (250mW), а код 1К на корпусе SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но 200mW).
Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или SC70.
Устройства с реверсивным расположением выводов часто имеют суффикс R в обозначении типа. Например, 67 - код для BFP67 в корпусе SOT143, а 67R - код для варианта с реверсивным расположением выводов BFP67R в корпусе SOT143R.
Где это возможно, в таблице дается соответствующий данному SMD-компоненту тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация. Для приборов не имеющих обычного эквивалента часто дается краткое описание, которое может быть полезно для поиска замены.
Расшифровку сокращений, используемых в таблицах, можно получить при нажатии на пункт "Сокращения" в левой части экрана.
При описании характеристик устройства, некоторые данные подразумеваются из типа устройства. Например, напряжение, указанное для диода - обычно максимальное обратное напряжение, а для стабилитрона - напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены напряжение, ток или мощность, задаются максимальные значения.
Например, устройство, указанное как SI-N 20V 0. 1A 1W - это NPN транзистор с максимальным Vce=20V, максимальным током коллектора 100mA и максимальной мощностью 1W.
Некоторые из транзисторов имеют интегрированные резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соединен последовательно с базой, а второй - между базой и эммитером.
| Сокращения в колонке данных | ||||
| amp | amplifier | atten | attenuator | |
| a | anode | b | base | |
| c | cathode | ca | common anode | |
| cc | common cathode | comp | complement | |
| d | drain | dg | dual gate | |
| enh | enhancement (mode - FETs) | fet | field effect transistor | |
| fT | transition frequency | GaAsfet | Gallium Arsenide field effect transistor | |
| g | gate | gnd | ground | |
| gp | general purpose | hfe | small signal current gain | |
| i/p | input | Id | drain current | |
| Ig | gate current | Ir | reverse leakage current (diodes) | |
| jfet | junction field effect transistor | max | maximum | |
| min | minimum | mosfet | metal oxide insulated gate fet | |
| n-ch | n-channel fet (any type) | npn | npn bipolar transistor | |
| o/p | output | p-ch | p-channel fet (any type) | |
| pin | pin diode | pkg | package | |
| pnp | pnp bipolar transistor | prot | protection, protected (as in mosfet gate) | |
| res | resistor | s | source | |
| ser | series | Si | silicon | |
| SI-N | npn transistor | SI-P | pnp transistor | |
| substr | substrate | sw | switch or switching | |
| Vce | collector - emitter voltage (maximum) | Vcc | collector supply voltage | |
| Сокращенные названия фирм-производителей | ||||
| DalSemi | Dallas Semiconductor | Fairchild | Fairchild Semiconductor | |
| GenSemi | General Semiconductor | HP | Hewlett-Packard | |
| ITT | ITT Semiconductors | Maxim | Maxim | |
| Motorola | Motorola | NatSemi | National Semiconductor | |
| Philips | Philips Semiconductors | Rohm | Rohm Co., Ltd | |
| STM | STMicroelectronics (SGS-Thompson) | Infineon | Infineon Technologies (Siemens) | |
| Siliconix | Siliconix (Vishay-Silliconix) | Temic | Temic Semiconductors | |
| Telefunken | Telefunken (Vishay-Telefunken) | TI | Texas Instruments | |
| Toko | Toko Inc. | Zetex | Zetex Semiconductors | |