До каких частот можно сделать двухтактный УМ на этом мосфете?

[Alex31]

Имеется мосфет, название пока не буду писать. Вот его основные характеристики:

Корпус: TO-247-3
Drain - Source Voltage = 900V
Gate - Source Voltage (dynamic) = -8/+19
Continuous Drain Current = 23A (V GS = 15 V, TC = 25˚C)
Pulsed Drain Current = 50A

Drain-Source On-State Resistance = 120(155max) mΩ (V GS = 15 V, ID = 15 A)

Transconductance = 8.9S


Input Capacitance = 414pF
Output Capacitance = 48pF
Reverse Transfer Capacitance = 3pF
Coss Stored Energy = 10.6μJ

Turn-On Delay Time = 6ns

Rise Time = 32ns
Turn-Off Delay Time = 14ns
Fall Time = 7ns
Gate to Source Charge = 5nC
Gate to Drain Charge = 8nC
Total Gate Charge = 21nC

Reverse Diode Characteristics:
Continuous Diode Forward Current = 15A
Diode pulse Current = 50A
Reverse Recover time = 28ns
Reverse Recovery Charge = 127nC

Цена: ~5$

Если на двух таких мосфетах делать классический мостовой SSB УМ, то, до сколько МГц такой усилитель сохранит свою эффективность? И какую практическую мощность с него можно будет получить?

Просто смотрел тему про 1кВт усилитель на двух LDMOS, однако цена в 90$ за каждый транзистор не очень радует. Думаю, чем можно заменить, да и мощность такая большая не нужна.

В общем, пока просто теория и расчёт. Что думаете?

[serge/]

Какую мощность рассеивает

[Alex31]

serge,

[R3DMO]

Фантазирую..... Если сложить все времена, что приведены в характеристиках, получим период колебаний. Это около 60 nS. Что соответствует около 16 МГц. Так что на 20ку и ниже теоретически должно работать... Нужно тщательно посчитать выходную цепь.

[EU1SW]

загадками говорит топик стартер, да и в соседней теме недоброе затеял

[ra3qdp]

на этом

на каком ?

[6n2p]

На глаз, 30 МГц можно сделать
3pF и Total Gate Charge = 21nC
Только усиление на низкой частоте будет выше и нужно сделать его коррекцию цепями обратной связи. Ну это и не секрет как говорится.
В линейном генераторном режиме кпд 65-70%. Допустимая рассеиваемая мощность транзистора должна быть взята из даташита (Max. Power Dissipation) .

[XENOMORPH]

на каком?

Похоже на этом C3M0120090D cree-pwr~c3m0120090d.pdf

[RK4CI]

Просто смотрел тему про 1кВт усилитель на двух LDMOS, однако цена в 90$ за каждый транзистор не очень радует

Так 5 долларов это сейчас почти 500 руб. А рассеиваемая у этого транзистора менее 100 ватт. Для сравнения, у RD16 рассеиваемая 56 ватт. У сборки MRF 186, рассеиваемая около 160 ватт. И цена около 10 долларов. Так чем интересен именно этот транзистор? Максимальное напряжение сток/исток 900 В, и можно попытаться сделать УМ с сетевого выпрямителя? Так киловаттный УМ на таких не сделаешь. Порядка 100 ватт с двухтакта при 1 транзисторе в плече. По моему, никакого интереса для изготовления УМ на КВ диапазоны, этот транзистор не представляет.

[Абрамий]

В общем, пока просто теория и расчёт. Что думаете?

У всех силовых полевых транзисторов верхний предел частоты в самую первою очередь определяется распределённым сопротивлением затвора , которое сопротивление затвора образует с входной емкостью RC - цепь , постоянная времени которой ограничивает максимальную частоту .
В результате этого транзистор не успевает полностью открыться или закрыться по всему сечению канала , что в двухтактных схемах приводит к короткому замыканию через оба транзистора и их пробою .

У мощных полевых транзисторов специально предназначенных для работы в усилителях мощности высокой частоты затвор выполнен из пленки металлического алюминия , пленок золота или серебра , есть мощные полевые транзисторы с затвором из пленки никеля или силицида никеля .
Металлический затвор имеет весьма низкое сопротивление и рабочие частоты таких транзисторов получаются высокими .
Но мощные полевые транзисторы с металлическими затворами стоят дороже мощных полевых транзисторов с поликремниевыми затворами .

Сейчас однако появились недорогие полевые транзисторы с низким распределенным сопротивлением затвора , годные и для усилителей мощности ВЧ .
Как их находить из всех прочих ?

Если для ключевого транзистора в спецификации на транзистор есть и нормирован такой параметр как Gate input resistance ( может называться и несколько по другому например Intrinsic gate resistance и т.д. , и он менее нескольких ом - то такой точно годится !

Вот эти будут лучше : STP14NM50N - у них нормировано высокочастотное распределённое сопротивление затвора менее 4.5 ома и более высокое быстродействие !

https://pl-1.org/catalog-chip/aktivn...14nm50n-to-220

Так-же хороши и STP20NM60 .

https://pl-1.org/catalog-chip/aktivn...p20nm60-to-220

У них нормировано высокочастотное распределённое сопротивление затвора менее 1.5 ом

А у этих транзисторов SiHP6N40D высокочастотное распределённое сопротивление затвора менее 1.9 ома

https://static.chipdip.ru/lib/411/DOC011411348.pdf