Нитрид-галлиевые транзисторы для КВ, тест GaN транзистора CID10N65F

[sergejbelyj]

Alex31, вопрос немного не по теме Сейчас ремончу автоусилитель апокалипс aab 7900.1d. Там после ИРки стоят драйвера в sot23-6. В сети ремонтников много, но все крысят информацию. Вам, как знатоку драйверных чипов, возможно знакомо? Что может быть в таком корпусе? Предполагаю, там обычная комплементарная пара. Не попадалось что то похожее?

[Alex31]

Что может быть в таком корпусе?

Поиск в Интернете дал следующие результаты.

1. Фото


То, что показано жёлтыми стрелками, они?

2. Если они, то это комплементарная пара P и N транзисторов. Вот участок схемы чуть более старой модели похожего усилителя



Эта пара нужна для усиления тока, идущего с ШИМ драйвера на затворы выходных транзисторов.

3. Вам нужно их все сдуть феном, аккуратно. После чего тестером прозвонить выводы, чтобы понять, биполярная это пара или полевая. Если биполярная, то, возможно подойдёт такая: https://www.lcsc.com/product-detail/...A_C155320.html

Если полевая, то, возможно такая https://www.lcsc.com/product-detail/..._C7465318.html

И вот ещё видео ремонта этого усилителя, работы предстоит очень много) https://www.youtube.com/watch?v=jL28QJNt5ps

4. Ещё желательно раздобыть микроскоп, либо мощную увеличилку прислонить к камере телефона, чтобы прочитать надписи на корпусе. Если совсем не читаются, можно слегка намазать белой термопастой КПТ.

Например, если написано 7517, то это готовый драйвер UCC27517

[khach]

Раз темя для новых идей, то тут спрошу. Карбидокремниевые транзисторы кто нибудь в линейном режиме для усилителей КВ встречал? Они более медленные чем нитридные, т.е не будет проблем с возбуждением на ВЧ, у них широкий безопасный регион работы на постоянке, они очень дубовые по температуре ( до 170 градусов) и по напряжению ( более киловольта),

[Alex31]

Карбидокремниевые транзисторы кто нибудь в линейном режиме для усилителей КВ встречал?

Сейчас как раз детально занимаюсь изучением этого вопроса. И для работы в линейном режиме, чтобы получить минимум IMD3 нужно смотреть в даташитах на следующие параметры.

1. Transconductance, обозначается как S. Это крутизна усиления транзистора. Для линейного SSB режима это значение должно быть максимально низким. А для ключевого режима наоборот, максимально высоким.



Если это значение больше 6-7, мосфет нужно будет греть как печку, чтобы вывести на линейный режим.

2. Время и энергия восстановления паразитного боди диода:



Эти два параметры - главные в транзисторе, которые косвенно покажут до какой максимальной частоты он сможет работать. Эти значения нужно выбирать тоже, как можно ниже.

На остальные параметры транзистора внимания особого можно не обращать.

Вот, подобрал на вскидку:

1. До 14-16МГц сможет 100%, а может и выше: ROHM SCT2280KEGC11 https://www.lcsc.com/product-detail/C3281178.html

2. До 7-11МГц смогут:
SUPSiC GC2M0160120D https://www.lcsc.com/product-detail/C7435048.html
Tokmas CI19N120SM https://www.lcsc.com/product-detail/C2959833.html

3. До 4-5МГц SUPSiC GC3M0160120D https://www.lcsc.com/product-detail/C7435047.html

[serge/]

ROHM SCT2280KEGC11 посмотрел цены...лучше rd100 купить за эти деньги, у них хоть сток изолированный и линейностью все нормально

[khach]

Недавно попалась научная статья с каскодом из нитрида снизу и карбида сверху. На 13 МГц киловатт с мелочью без суммирования. Но там про линейность ничего не было- генератор для плазмохимии.

[Alex31]

ROHM SCT2280KEGC11 посмотрел цены...

Да, цена за линейность ключевого мосфета довольно высока.

Хотя вот, нашёл весьма интересный экземпляр, со средней ценой 6-7$ Infineon IMWH170R650M1XKSA1
https://www.lcsc.com/product-detail/C29064492.html
https://eu.mouser.com/ProductDetail/...sqqBbBJw%3D%3D

Крутизна S всего 0.65!!



И скорость переключения высокая. Думаю, неплохой SSB УМ получится вплоть до 20м диапазона, а может и выше.

[khach]

С моделирование реальной полосы полосы пропускания в линейном режиме какая то ерунда получается. Надо измерять на макете. И не гнаться за новыми SiC с ультранизким сопротивлением канала. Более древние с большим сопротивлением канала ( большим это пол-ома например) показывали лучшую линейность.
Ну и про каскод я не даром упомянул- SIC требуют относительно больших напряжений на затворе. Напрашивается каскод из советского низковольтного ВЧ кремниевого транзистора, который раскачивает SIC по истоку, затвор заземлен. SIC рассеивает лишнюю мощность в тепло и обеспечивает высоковольтное питание. Зато при управлении по истоку можно получить гораздо более широкую полосу, чем по затвору.

[Alex31]

Напрашивается каскод из советского низковольтного ВЧ кремниевого транзистора, который раскачивает SIC по истоку, затвор заземлен.

Нарисуйте пожалуйста подробную схему такого решения, попробую изучить

[Oleg 9]

Недавно попалась научная статья с каскодом из нитрида снизу и карбида сверху.

Картинка правильная. На ней обозначен важный нюанс - SiC JFET. Если вместо SiC JFET поставитьSiC MOSFET, То с очень большой вероятностью не будет работать как надо, из-за большой прямой ёмкости С-И, которая у JFET практически отсутствует.
https://power-e.ru/components/sic-jfet/