Нитрид-галлиевые транзисторы для КВ, тест GaN транзистора CID10N65F

[Alex31]

или применить несколько штук параллельно. При 3-х транзисторах параллельно

Но тут другой подводный камень, выходная ёмкость сток-исток тоже будет Х3, что снизит частоту применения

[Oleg 9]

что снизит частоту применения

Не снизит. В обсуждаемых применениях как правило нагрузка либо колебательный контур, либо ФНЧ. В обоих случаях можно ёмкость конденсатора контура или фильтра уменьшить на величину выходной ёмкости запараллеленых транзисторов. Ибо рассеивать 190 Вт на корпусе ТО220 можно только теоретически в даташите. Практически реальная величина около 50-60 Вт, о чём ранее уже написал mmom в #158.