Нитрид-галлиевые транзисторы для КВ, тест GaN транзистора CID10N65F

[EU1SW]

достаточно будет L1 готовой индуктивностью порядка 1,2 миллигенри на феррите с максимальным током пару тройку ампер, или на воздухе намотать много много витков, и С2 0,1 мкФ, в точку соединения R3, R1 и затвора подать регулируемое смещение от стабилизатора 5 вольт через подстроечный резистор 4,7 кОм, и вывести хотя бы на 200 мА ток стока

выразиться, хотел открыть дорогу ган транзисторам в мир КВ

круто!

[R9OFG]

EU1SW, Сергей, а оос?!

[EU1SW]

Не будьте так строги, человек что смог, сделал.

да я строг совсем, просто говоришь о смещении, люди не понимают )
делают всяку дичь, а потом оказывается, ан демонов и нет, они самоликвидировались (с)

[Oleg 9]

а оос?!

Совершенно не на этом этапе.

да я строг совсем, просто говоришь о смещении, люди не понимают )

Мне сей эффект крайне знаком, поэтому сам и написал китайцу про транзисторы

[EU1SW]

поэтому сам и написал китайцу про транзисторы

[Абрамий]

Есть-ли у этих транзисторов встроенный паразитный диод , как кремниевых MOSFET ?
Если такового у GAN транзисторов нет , то наверное можно их использовать в качестве реверсивных усилителей в каскадах с общей базой , по типу аналогичному каскадам с КП903 и J310 , применяемым в трансиверах УРАЛ и РОСА ?
Если для GAN транзисторов ещё и нет большой разницы между стоком и истоком , то возможно их использовать в смесителях ?

[khach]

В описанных ТС транзисторах обратного диода нет,судя по даташиту в первом посте. Хотя в других конструкциях транзисторов может и встречаться .
Разница между истоком и стоком обычно есть- field plate затвора, без него транзистор плохо работает на высоких напряжениях, а это для транзистора для ИБП главное свойство. Конечно это все предположения, чтобы убедиться как в данном транзисторе затвор сделан надо его пилить и на электронный микроскоп нести.
По поводу ВЧ параметров- их и у профи нет, т.к они сталкиваются с совсем другими нитридными транзисторами на подложке из карбида кремния и с совсем другой конструкцией затвора. Но те транзисторы предназначены для СВЧ и радаров, имеют совсем другую цену, и кучу ограничений на экспорт. Так что вряд ли их получится легко достать.

[Oleg 9]

Меня транзисторы обозначенные ТС в 1 сообщении заинтересовали прежде всего тем, что они фуллпачные. То есть можно выбрать питание около 36В для 40-50Вт мощности. В стоки симметрирующий дроссель и далее балун на линии 50 Ом непосредственно в нагрузку 50 Ом без всяких биноклей. Чтобы застабилизировать ток покоя в истоки включить резисторы. Помимо стабилизации тока покоя резисторы в истоках увеличат линейность. Теоретически должно получиться всё красиво, при условии, что не будет возбуда. Короче посмотрим.

[Alex31]

Следующий эксперимент. Собрал макет по такой схеме:





Дроссель намотал на альсифер кольце, около 100мкГн получилось. В качестве нагрузки 4шт 5Вт китайских резистора по 20Ом, в сумме получилось 5Ом. Выставил, как просили 200мА ток покоя транзистора. При таком токе напряжение на затворе +1.8В.
Затем с генератора плавно повышал уровень сигнала до тех пор, пока не начинала искажаться нижняя полуволна сигнала на нагрузке. На картинках, вверху сигнал на затворе, внизу сигнал на нагрузочных резисторах.

1. 1.7МГц, сигнал на затворе 3.7V p-p, питание 13.7V, потребляемый ток 1.26А


2. 3.7МГц, сигнал на затворе 4.4V p-p, питание 13.7V, потребляемый ток 1.36А


3. 7.1МГц, сигнал на затворе 5.5V p-p, питание 13.7V, потребляемый ток 1.4А


4. 14.2МГц, сигнал на затворе 7.1V p-p, питание 13.7V, потребляемый ток 1.27А


5. 21МГц, сигнал на затворе 9.1V p-p, питание 13.7V, потребляемый ток 1.2А


6. 28МГц, сигнал на затворе 10V p-p (предел генератора), питание 13.7V, потребляемый ток 1.05А


И нагрев. Верхнее фото без сигнала, только ток покоя, затем при тесте 3.7МГц и потом при тесте 21МГц. Датчик P0 - корпус ган транзистора, P1 - один из нагрузочных резисторов, P2 - корпус старого диода на радиаторе. Ган транзистор в тесте применялся не обработанный, то есть полностью покрыт пластмассой.



На что можно обратить внимание. При использовании напряжения смещения, ESD защита затвора по минусу не срабатывает. На всех частотах сигнал не опускался ниже -1.5В, что, очень замечательно! Получается, возможно и не нужна будет дополнительная защита - ограничение по минусу.

[Oleg 9]

достаточно будет L1 готовой индуктивностью порядка 1,2 миллигенри

Чего? 1,2 миллигенри??? На 10 кГц тестировать Надо 3-5 микрогенри. Больше там не надо. В однотактный каскад на 1,8 МГц в одном из изделий ставили готовый дроссель на 4,7 микрогенри. Всё отлично работает.
PS: Без ферритового сердечника, если мотать катушку диаметром 15 мм, то 20 витков. Диаметром 20 мм 14 витков.